Realme GT Neo 6 er dukket op på Geekbench-listen, hvilket bekræfter dens Snapdragon 8s Gen 3-chip og 16 GB RAM.
Nyhederne følger tidligere påstande om chippen, hvor den berømte lækkerkonto Digital Chat Station for nylig understregede, at det ville være den første Snapdragon 8s Gen 3-drevne enhed at tilbyde over 100W ladeeffekt. Inden da også tipseren hævdede det samme, men det er første gang, der dukker et bevis op for at understøtte påstandene.
På listen blev der set en enhed med RMX3852-modelnummeret. Den håndholdte menes at være Realme GT Neo 6, da modelnummeret er den samme identifikation, som er set på Kinas 3C-platform. Navnet på chippen blev ikke afsløret direkte i listen, men detaljer om den peger på Snapdragon 8s Gen 3-chippen.
Bortset fra dette viser listen, at den testede enhed har 14.94 GB RAM, men den kunne markedsføres som 16 GB RAM. Enheden har også et Android 14-baseret system, som kunne komme med Realme UI 5.0 hud.
Gennem disse detaljer registrerede enheden efter sigende henholdsvis 1,986 og 5,140 single-core og multi-core score.
Denne nye opdagelse føjer til bunken af detaljer, vi allerede kender om Realme GT Neo 6. For at huske, her er de tidligere lækager rapporteret, der involverer modellen:
- Enheden vejer kun 199 gram.
- Dens kamerasystem vil have en 50 MP hovedenhed med OIS.
- Den har en 6.78” 8T LTPO-skærm med 1.5K opløsning og 6,000 nits maksimal lysstyrke.
- Realme GT Neo 6 vil bruge Snapdragon 8s Gen 3 som sin SoC.
- Telefonen får strøm fra et 5,500 mAh batteri.
