Smartphone-urile au componente care se uzează rapid, cum ar fi bateria. Pe lângă baterii, unitățile de stocare sunt una dintre componentele care se defectează rapid. Este probabil ca smartphone-urile mai vechi cu eMMC să aibă performanțe mult mai slabe pe o perioadă prelungită de utilizare. Deoarece telefoanele au unități UFS (Universal Flash Storage), acest lucru nu este atât de crucial ca înainte. Dar nu există nicio îndoială că UFS-urile vor avea o scădere a vitezei de citire și scriere în timp.
FBO în Xiaomi 12S Ultra
Toshiba și Samsung sunt principalele companii care produc unități de stocare. Xiaomi 12S Ultra va folosi UFS 4.0, care este foarte rapid decât UFS 3.1. Samsung susține că noul standard UFS 4.0 oferă viteze de transfer mult mai rapide și o eficiență energetică mai bună. Pentru a fi mai precis, UFS 4.0 poate transfera date la rate de până la 23.2 Gbps pe bandă, adică dubla of UFS 3.1.
Deoarece UFS 4.0 este un nou standard de memorie flash, Xiaomi 12S Ultra va fi unul dintre primele smartphone-uri care îl vor avea.
Potrivit Xiaomi, au efectuat un test pe memoria UFS 4.0 pentru a vedea cum se va comporta după patru ani de utilizare. Viteza UFS 4.0 a scăzut la 416.1 MB / s din 1924.6 MB/s după simulare 4 ani de utilizare. Adică aproximativ 20% din performanța reală a UFS 4.0 într-o stare nou-nouță. Același test aplicat pe unitatea cu FBO a reușit să țină la 1924.3 MB / s care este aproape 0% uzură, ceea ce este o nebunie. Xiaomi nu a clarificat modul în care au rulat testul de simulare, dar presupunem că au scris și citit viteze neîntrerupt.
Tehnologia este inclusă în specificația oficială a standardului de memorie flash de generație următoare UFS 4.0 și a primit recunoaștere de la JEDEC (Asociația Internațională de Standardizare a Industriei Semiconductorilor). UFS 4.0 va fi accesibil întregii industrii odată ce va fi pus în producție de masă.
FBO noua tehnologie de stocare va fi susținută de mărcile mainstream de memorie flash, cum ar fi Western Digital, Micron, Samsung, SK Hynix, Kioxia și Yangtze Memory.
