Xác nhận: Realme GT Neo 6 có chip Snapdragon 8s Gen 3, sạc 120W, dung lượng lưu trữ 1TB

Realme GT Neo 6 gần đây đã xuất hiện trên một nền tảng thương mại điện tử ở Trung Quốc, sau đó đã dẫn đến tiết lộ ba chi tiết của nó.

Lễ ra mắt mẫu máy này sắp đến gần và có vẻ như Realme đã bắt đầu chuẩn bị cho ngày đó. Gần đây, tài liệu tiếp thị của thương hiệu GT Neo 6 đã được phát hiện trên một trong những nền tảng thương mại điện tử của Trung Quốc (thông qua Trạm trò chuyện kỹ thuật số trên weibo).

Tài liệu xác nhận biệt danh của mô hình đồng thời tiết lộ rằng nó sẽ được cung cấp dung lượng lưu trữ 1TB. Trước đó, model này cũng đã xuất hiện trên Geekbench, xác nhận nó 16GB RAM. Qua những chi tiết này, nhiều khả năng cấu hình tối đa của máy sẽ đạt mức 16GB/1TB.

Mặt khác, người đăng cũng xác nhận rằng điện thoại thông minh sẽ được trang bị SoC Snapdragon 8s Gen 3, chứng thực cho những tuyên bố trước đó và khám phá của Geekbech trong những ngày gần đây. Bên cạnh đó, nó cuối cùng khẳng định rằng thiết bị sẽ hỗ trợ Sạc nhanh 120Wg quyền lực. Điều này có nghĩa là model này sẽ vượt quá công suất sạc của các thiết bị Snapdragon 8s Gen 3 khác trên thị trường, với Redmi Turbo 3 hiện cung cấp khả năng sạc nhanh nhất chỉ với hỗ trợ 90W. Theo một rò rỉ riêng biệt, nguồn sạc này sẽ được bổ sung bởi viên pin 5,500mAh.

Bài viết liên quan